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曲江论坛——郝跃院士报告会
报告题目：面向后摩尔时代的化合物半导体技术发展与展望
时间：4月9日（周三）上午9:00-10:30
地点：科学馆101报告厅
主办：电子与信息工程学院
报告内容简介：
以硅材料为代表的微电子技术发展至今已经近六十年，极大地推动人类社会从工业时代快步进入信息时代。同时，由于器件特征尺寸的进一步缩小，微电子技术很快步入以纳米尺度为标志的后摩尔时代。本报告将给出后摩尔时代微电子技术发展的特征和面临的重要挑战，给出解决这些挑战可能的技术方案和目前的研究进展。将重点介绍CMOS集成器件中，新的化合物半导体沟道材料和电子器件结构的重要进展，同时，给出了基于CMOS的化合物半导体器件的进一步发展方向和研究展望。
报告人介绍：
郝跃教授，中国科学院院士，西安电子科技大学副校长，微电子学与固体电子学博士生导师。1982年毕业于西安电子科技大学半导体物理与器件专业，1991年在ylzzcom永利总站线路检测计算数学专业获理学博士学位；他目前是宽带隙半导体技术国防重点学科实验室和宽禁带半导体材料和器件教育部重点实验室学术委员会主任。国家中长期规划纲要“核心电子器件、高端通用芯片和基础软件产品”科技重大专项专家组副组长，总装备部微电子技术专家组组长。
郝跃长期从事新型宽禁带半导体材料和器件、微纳米半导体器件与高可靠集成电路等方面的科学研究与人才培养，是国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家。他在氮化镓∕碳化硅宽禁带半导体功能材料和高功率微波毫米波器件、半导体短波长光电材料与高功率光电器件研究和推广、微纳米CMOS器件可靠性与失效机理研究等方面取得了系统的创新成果。 主持的科研成果获得国家发明奖二等奖1项，国家科技进步二、三等奖各1项；出版了“氮化物宽禁带半导体材料与电子器件”，“碳化硅宽带隙半导体技术”，以及“集成电路制造动力学理论与方法”等多部著作，发表了SCI收录论文200余篇，2010年荣获“何梁何利”科学技术奖，2013年11月当选中国科学院院士。
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